激光分子束外延

 

激光分子束外延（L-MBE）

 

（Laser-Molecular Beam Epitaxy）

 

1. 仪器型号：LMBE-450

 

2. 生产厂家：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司

 

3. 仪器简介：

 

    本激光分子束外延系统主要由激光器和真空沉积系统两部分组成，激光器是法国Quantel公司生产的高功率Nd：YAG紫外脉冲激光器，激光脉冲宽度为5ns，脉冲能量三倍频输出为200 mJ。真空淀积系统系统由真空腔室 (外延室、进样室) 、样品传递机构、样品架、旋转靶台、真空排气、真空测量、电器控制、配气、计算机控制等各部分组成，其中进样室的真空度可达到6. 65×10 ^-5Pa；外延生长室的极限真空度为6.65×l0^-8Pa。基片加热温度可达850 -- 900℃，并能在较高气体分压(如200mTorr)条件下正常工作。同时该设备配有反射式高能电子衍射仪(RHEED) 可以原位实时监控薄膜原子尺度的外延生长以及四极质谱仪用于真空沉积系统的检漏。计算机精确控制，实时数据采集和数据处理系统，可精密实现薄膜或超晶格达到原子尺度的外延生长控制。  

 

4. 应用领域：

 

激光光分子束外延是一种新型的高精度薄膜沉积技术，它集普通的脉冲激光沉积和传统分子束外延技术为一体，不仅可以生长通常的半导体超晶格结构，尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状结构，如光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体，有机高分子材料及无机半导体薄膜材料等。