✈个人简介：
温静，1980年生人，博士，2003年毕业于内蒙古大学，获学士学位；2006年毕业于东北师范大学，获理学硕士学位；2016年毕业于哈尔滨工业大学，获理学博士学位。现为哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室教师，硕士生导师。研究方向为凝聚态物理，主要从事半导体材料晶体、电子结构、电子输运性质以及赝电容储能材料结构及其储能机制与动力学的理论计算研究，发表SCI收录论文近40篇，出版学术专著1部，主持和参与国家级项目3项。
✈教育及工作经历：
1999/09-2003/07，内蒙古大学，数理基地班，学士
2003/09-2006/07，东北师范大学，物理系，硕士
2012/09-2016/07，哈尔滨工业大学，理学院物理系，博士
2006/09-2011/07，黑龙江八一农垦大学，文理学院，讲师
2016/07-至今， 哈尔滨师范大学，光电带隙材料教育部重点实验室，讲师
2017/07-2017/08，The International Centre for Theoretical Physics (ICTP)，意大利，访学
2018/08-2019/08，The University of Oklahoma，美国，访问学者
2020/09-2021/07，清华大学，化工学院，访问学者
✈研究兴趣：
1、半导体材料晶体、电子结构、电子输运性质；
2、储能材料结构及其电荷存储机制及其动力学。
✈招生方向：
1、第一性原理计算；
2、储能机制及分子动力学模拟。
✈主持或承担科研项目：
1、国家自然科学基金国际交流与合作项目，量子输运基础研讨与讲习, 2017/07-2017/12，已结题，主持.
2、国家自然科学基金面上项目，过渡金属碳化物电极材料的设计、可控合成、Li+离子嵌入及其电化学储能特性研究，2015/01-2018/12，参与.
3、国家自然科学基金面上项目，基于3D MXene纳米结构构筑Li-S电池的正极材料及其电化学性能的研究，2018/01-2021/12，参与.
✈代表性论著：
科研论文：
1.Wen, J.; Zhang, W.; Zhang, L.; Zhang, X.; Yu, Y.-X., Identification of the different contributions of pseudocapacitance and quantum capacitance and their electronic-structure-based intrinsic transport kinetics in electrode materials. Chem Phys Lett 2021, 775, 138666
2.Wen, J.; Fu, Q.; Wu, W.; Gao, H.; Zhang, X.; Wang, B., Understanding the Different Diffusion Mechanisms of Hydrated Protons and Potassium Ions in Titanium Carbide MXene. ACS Applied Materials & Interfaces 2019, 11 (7), 7087-7095.
3.Wen, J.; Zhang, X.; Gao, H., Role of the H-containing groups on the structural dynamics of Ti3C2Tx MXene, Physica B: Condensed Matter, 2018, 537, 155–161
4.Wen, J.; Zhang, X.; Gao, H., Structural formation and charge storage mechanisms for intercalated two-dimensional carbides MXenes. Phys Chem Chem Phys 2017, 19 (14), 9509-9518.
5.Wen, J.; Zhang, X.; Gao, H, Intrinsic non-ohmic electronic transport properties of the transparent In-Zn-O compound nanobelts under the ohmic contact and out of the space charge limited transport region. Nanotechnology 2016, 27 (7), 075703.
6.Wen, J.; Zhang, X.; Gao, H., Effects of the slab thickness on the crystal and electronic structures of In2O3(ZnO)m revealed by first-principles calculations. Journal of Solid State Chemistry 2015, 222 (0), 25-36.
7.Wen, J.; Zhang, X.; Gao, H.; Wang, M., Current–voltage characteristics of the semiconductor nanowires under the metal-semiconductor-metal structure. Journal of Applied Physics 2013, 114 (22), 223713.
8.Wen, J.; Wu, L.; Zhang, X., A unique arrangement of atoms for the homologous compounds InMO3(ZnO)m (M=Al, Fe, Ga, and In). Journal of Applied Physics 2012, 111 (11), 113716.
9.Wen, J.; Zuo, C. Y.; Xu, M.; Zhong, C.; Qi, K., First-principles investigation of electronic structure and optical properties in N-F codoped ZnO with wurtzite structure. European Physical Journal B 2011, 80 (1), 25-30.
10.Wen, J.; Zuo, C.; Zhong, C., Calculation of the Change in the Madelung Energy of Doped ZnO. Chinese Journal of Physics 2010, 48 (6), 844-854.
Wen, J.; Zuo, C. Y.; Zhong, C., First-principles investigations of electronic structures and optical properties in wurtzite Zn16O13N2F and Zn14O15Ag2F. Chinese Optics Letters 2011, 9 (1), 11601.
教改论文：
1. 温静，平面波在各向异性晶体中的菲涅耳公式. 光学学报, 2009, 29(7): 2000～2005.
2. 温静，干涉仪在分光计调整中的应用. 光学仪器, 2008, 30(4):32~35
3. 温静，光的干涉在水平调节及长度测量中的新应用. 物理与工程, 2008,18(6):25~275
4. 温静，非物理专业普及近代物理实验的研究. 实验科学与技术, 2009, 7(2):104~1065
学术专著：
温静，张喜田等，《密度泛函理论在材料计算中的应用》, 人民邮电出版社, 2022
